半导体薄膜基片

砷化镓(GaAs)基片

产品简述:

GaAs材料具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙,消耗功率低的特性,广泛应用与高频及无线通讯,适合于制作IC器件,主要应用于光电子领域和微电子领域。

0731-89578196
产品详细
   GaAs材料具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙,消耗功率低的特性,广泛应用与高频及无线通讯,适合于制作IC器件,主要应用于光电子领域和微电子领域。
材料 砷化镓(GaAs)
结构 立方
晶向 <100>
熔点oC 1238
密度g/cm3
5.31
禁带宽度
1.424

单晶 掺杂

导电类型

载流子浓度cm-3 位错密度cm-2 生长方法 标准基片(mm)
GaAs Si

undoped

N

>5×1017 <5×105 VGF

 

VB

Dia2″×0.35mm

 

Dia3"x0.35mm

Dia100×0.65mm

晶向

(100) 0°±0.5°,<111>

(100) 2°±0.5°off toward <111>A

(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸(mm)

25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

抛光

单面或双面

包装

100级洁净袋,1000级超净室

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13365870915 工作时间:9:00-18:00

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