半导体薄膜基片

锑化镓(GaSb)基片

产品简述:

GaSb单晶由于其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的各种三元和四元,III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配,因为GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器,GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。GaS单晶材料的主要生长方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、移动加热法/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VBG)等。

0731-89578196
产品详细
  GaSb单晶由于其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的各种三元和四元,III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配,因为GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器,GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。GaS单晶材料的主要生长方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、移动加热法/垂直梯度凝固技术(VGF/垂直布里奇曼技术(VBG)等。
晶体
GaSb
结构
立方
a=6.094A
晶向
<100>
熔点 712oC
密度
5.53g/cm3
禁带宽度
0.67

单晶
掺杂
导电类型
载流子浓度
cm-3
迁移率(cm2/V.s)
位错密度(cm-2)
标准基片
GaSb
本征
   P
(1-2)*1017
600-700
《1*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
GaSb
Zn
  P
(5-100)*1017
200-500
《1*104
 
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
GaSb
Te
  N
(1-20)´1017
2000-3500
《1*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
尺寸(mm)
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋,1000级超净室
分享到:
相关产品

关闭
13365870915 工作时间:9:00-18:00

扫二维码微信沟通
百度商桥咨询
关闭客服