半导体薄膜基片

磷化铟(InP)单晶基片

产品简述:

磷化铟(InP)单晶基片材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管(LD),发光二极管(LED)和光探测器等的关键材料,这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等。

0731-89578196
产品详细
  磷化铟(InP)单晶基片材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管(LD),发光二极管(LED)和光探测器等的关键材料,这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等。
晶体:InP
结构:立方,a=5.869 A
晶向:<100>
熔点:1600oC
密度:4.79 g/cm3
禁带宽度:1.344

磷化铟(InP)单晶基片主要性能参数

单晶
掺杂
导电
类型
载流子浓度
cm-3
迁移率(cm2/V.s)
位错密度(cm-2)
标准基片
InP
本征
  
     N
(0.4-2)*1016
(3.5-4)*103
    5*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
    3*104
2*103
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2)*1018
70-90
 
2*104
 
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Fe
N
  107-108
    ³2000
    3*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
尺寸(mm)
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋,1000级超净室
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