GaN 薄膜基片

铝酸镁钪(ScMgAlO4)晶体基片

产品简述:

ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料。ScAlMgO4晶体属于六方晶系,晶格常数a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面体层状结构,与纤锌矿氮化物和氧化锌的结构相似。

0731-89578196
产品详细
  ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料。ScAlMgO4晶体属于六方晶系,晶格常数a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面体层状结构,与纤锌矿氮化物和氧化锌的结构相似。
  ScAlMgO4是一种与GaN和ZnO 晶格常数和结构非常匹配的衬底材料(表1)。它与GaN的晶格失配率约为1.8%,与ZnO的晶格失配率仅为0.09%,a轴的热膨胀系数为6.2×10-6/℃,c轴的热膨胀系数为12.2×10-6/℃,与GaN、ZnO外延薄膜之间的热膨胀系数失配比传统的蓝宝石和硅等衬底好的多。
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