GaN 薄膜基片

铝酸锂(LiAlO2)单晶基片

产品简述:

铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小(铝酸锂为1.4%)而成为氮化镓薄膜的优质基片。

0731-89578196
产品详细
  铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小(铝酸锂为1.4%)而成为氮化镓薄膜的优质基片。

铝酸锂(LiAlO2)单晶基片主要性能参数

晶体结构
四方
晶格常数
a=5.17 A    c=6.26 A
熔点(℃)
1900
密度
2.62(g/cm3)
硬度
7.5(mohs)
与GaN失配率<001>
1.4%
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<100>  <001>
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室
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13365870915 工作时间:9:00-18:00

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