GaN 薄膜基片

氧化锌(ZnO)单晶基片

产品简述:

氧化锌(ZnO)单晶基片是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。氧化锌(ZnO)单晶基片是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,是一种具有发光、电光、闪烁、半导体等性能的多功能晶体,是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片 材料,在短波长发光器件方面如 LEDs、LDs具有...

0731-89578196
产品详细
  氧化锌(ZnO)单晶基片是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
  氧化锌(ZnO)单晶基片是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,是一种具有发光、电光、闪烁、半导体等性能的多功能晶体,是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片 材料,在短波长发光器件方面如 LEDs、LDs具有很大的发展潜力,成为继GaN后在宽禁带半导体领域又一研究热点。

氧化锌(ZnO)单晶基片主要性能参数

晶体结构
六方
晶格常数
a=3.252Å    c=5.313 Å
密度
5.7(g/cm3)
硬度
4(mohs)
熔点
1975℃
热膨胀系数
6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
热 容
0.125 cal /g.m
热电常数
1200 mv/k @ 300 ℃
热 导
0.006 cal/cm/k
透过范围
0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向
<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
尺寸(mm)
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋,1000级超净室
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