陶瓷基片

氮化铝(AlN)陶瓷基片

产品简述:

氮化铝具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的 5-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。我司可按客户要求生产各种规格尺寸形状的产品。

0731-89578196
产品详细
  氮化铝具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的 5-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。我司可按客户要求生产各种规格尺寸形状的产品。
  氮化铝(AlN)陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片,具有很高的热导率(理论值为319W/m.K,商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k)、较低的介电常数(8.8)和介电损耗(~4×104)、以及和硅相配比的热膨胀系数(4.4×10-4/℃)等优点,化学组成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。
  氮化铝陶瓷基片,热导率高,电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,无毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
  主要应用于:高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。特点:热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。

产品特点
  • 高导热性
  • 热膨胀系数跟Si接近
  • 优良的绝缘性能
  • 较低介电常数和介质损耗

AlN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标

体积密度 (g/cm3)
3.335
抗热震性
无裂纹、炸裂
热导率 (30℃, W/m.k)
≥170
膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)
2.805×10-6
抗折强度 (MPa)
382.7
体积电阻率(Ω.cm)
1.4×1014
介电常数(1MHz)
8.56
化学稳定性 (mg/cm2)
0.97
击穿强度 (KV/mm)
18.45
表面粗糙度(μm)
0.3~0.5
翘曲度(length‰)
≤2‰
外观/颜色
致密、细晶/ 暗灰色
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