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    半导体薄膜基片
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    砷化铟(InAs)单晶基片

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    以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 2～14μm的红外发光器件，...
    砷化镓（GaAs）基片

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    GaAs材料具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性，广泛应用与高频及无线通讯，适合于制作IC器件，主要应用于光电子...
    锑化镓（GaSb）基片

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    磷化铟（InP）单晶基片

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    磷化铟（InP）单晶基片材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测...
    锗（Ge）基片

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    锗（Ge）基片用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池衬底等材料。...
    硅（Si）基片

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    硅（Si）基片用途：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。 ...
    
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