我们提供的 半导体晶体包含以下几种材料：

一、SOI 晶体材料

　　SOI是将一薄层硅置于绝缘衬底上。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。

外形尺寸	4英寸；6英寸；8英寸
工艺	Smart cut; Bonding; SIMOX
类型	N/P
电阻率	可选
顶层单晶厚度	0.22～50μm
埋氧层	0.4～4μm
基底层厚度	100～500μm
TTV	<3μm
Particle	<10@0.3μm

二、砷化镓（GaAs）晶体材料

掺杂：Si
导电类型：导电类型
生长方法：VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法)
晶向：(100) 0°±0.5°，(100) 2°±0.5°off toward <111>A，(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸：25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A，可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告

抛光：单面或双面
包装：100级洁净袋，1000级超净室

 

三、氧化锌（ZnO）晶体材料

晶体结构	六方
晶格常数	a=3.252Å    c=5.313 Å
密度	5.7（g/cm3）
硬度	4（mohs）
熔点	1975℃
热膨胀系数	6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
热 容	0.125 cal /g.m
热电常数	1200 mv/k @ 300 ℃
热 导	0.006 cal/cm/k
透过范围	0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向	<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
尺寸（mm）	25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光	单面或双面
包装	100级洁净袋，1000级超净室

四、碳化硅（SiC）晶体材料

主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN    diodes 、IGBT
2.光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED

生长方法	MOCVD
晶体结构	六方
晶格常数	a=3.07 Å     c=15.117 Å
排列次序	ABCACB
方向	生长轴或 偏<0001> 3.5 º
带隙	3.02 eV (间接)
硬度	9.2（mohs）
密度	3.21g/cm3
折射率	no=2.55   ne=2.59
热传导@300K	3 - 5 x 106W/ m
介电常数	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸	10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm
厚度	厚度：0.35mm
抛光	单面或双面
晶向	<001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室

五、锗（Ge）晶体材料

用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池沉底等材料。

生长方法	提拉法
晶体结构	立方
晶格常数	a=5.65754 Å
密 度	5.323g/cm3
熔点	937.4℃
掺杂物质	不掺杂	掺Sb	掺Ga
类型	/	N	P
电阻率	＞35Ωcm	0.01~10Ωcm	0.01~10Ωcm
EPD	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
	Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室

六、硅（Si）晶体材料

用途：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。

晶体结构	面心立方
熔点（℃）	1420
密度	2.4（g/cm3）
导电类型/掺杂物质	I型非掺	P掺B	N掺P
电 阻 率	>1000Ωcm	10-3~104Ωcm	10-3~104Ωcm
E P D	≤100∕cm2	≤100∕cm2	≤100∕cm2
氧含量（∕cm3）	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018
碳含量（∕cm3）	≤5×1016	≤5×1016	≤5×1016
尺寸	10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片
厚度	0.3-0.5mm、1.0mm
尺寸公差	<±0.1mm
厚度公差	<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm）
抛光	单面或双面
晶面定向精度	±0.5°
边缘定向精度	2°（特殊要求可达到1°以内）
取向	<100>、<110>、<111>等
包装	100级洁净袋，1000级超净室