氮化铝具有优良的导热性（为氧化铝陶瓷的 5-10倍），较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。我司可按客户要求生产各种规格尺寸形状的产品。
　　氮化铝（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
　　氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
　　主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。特点：热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。

• 高导热性
• 热膨胀系数跟Si接近
• 优良的绝缘性能
• 较低介电常数和介质损耗

AlN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标

体积密度 (g/cm3)	3.335
抗热震性	无裂纹、炸裂
热导率 (30℃, W/m.k)	≥170
膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)	2.805×10-6
抗折强度 (MPa)	382.7
体积电阻率(Ω.cm)	1.4×1014
介电常数(1MHz)	8.56
化学稳定性 (mg/cm2)	0.97
击穿强度 (KV/mm)	18.45
表面粗糙度(μm)	0.3~0.5
翘曲度(length‰)	≤2‰
外观/颜色	致密、细晶/ 暗灰色